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【NEW】　レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器　ISA041HRA/GL

製品の概要
レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器　ISA041HRA/GL

mscopetypec

レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器　ISA041HRA/GLは、400nm～1700nmの可視~短波赤外波長域に広い感度波長域を有するカバーガラスレス型・SXGA画素・高分解能InGaAs固体撮像素子内蔵のレーザ計測用SWIR検出器です。

撮像素子には、セルピッチ5μm角・1280×1040画素の1/2インチのカバーガラスレス型InGaAs２次元固体撮像素子を使用しています。カバーガラスレス型InGaAs撮像素子を使用することで、狭線幅レーザビーム計測時に撮像素子のカバーガラス部分で発生する干渉の影響を抑制します。また、可視域から短波赤外域まで広い感度波長域と高い解像度を有し、幅広い波長域でのレーザビームプロファイル計測に最適です。

可視~短波赤外域での汎用高精細画像観察用途から、光通信用レーザダイオード・光ファイバ・光導波路・シリコンフォトニクスデバイス等光通信用各種光デバイス・光モジュールの発光ビームプロファイル計測・解析まで幅広い応用が可能です。当社の光計測用光学系　M-Scopeシリーズや、光ビーム解析モジュール　AP013との組み合わせにより、光ビーム観察や光ビームプロファイル計測を高い分解能で実現できます。

製品の特長

  • カバーガラスレス型1/2インチ高分解能InGaAs固体撮像素子内蔵。狭線幅レーザのビームプロファイル計測に最適。
    • センサーピッチ5μm角・1280（H）×1024（V）画素・有効素子サイズ　6.4mm（H）×5.12ｍｍ（Ｖ）・カバーガラスレス型1/2インチ高解像度InGaAs固体撮像素子を内蔵。可視~短波赤外域での高精細画像観察・高分解能画像解析が可能です。
  • 400nm-1700nmの可視~短波赤外波長域を高い感度でカバー
    • 可視~短波赤外域の広い波長域での画像観察や画像処理解析が可能です。
  • 優れた光入出力特性
    • 光入力に対する信号出力特性はほぼリニアです。レーザビームプロファイル計測等光強度分布測定にも適しています。
  • 優れた残像特性
    • 過大光量入力に対する残像や焼付の心配がありません。画像による位置合わせや監視等、動きのある画像観察や画像処理にも最適です。
  • Gigabit Ethernet （1000BASE-T）インターフェイス
    • PCとの接続はGigabit Ethernetです。ノートPCやデスクトップPCまでさまざまなPC上での使用が可能です。

レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器を使用したシングルモード光ファイバのNFP測定

レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器（カバーガラスレス型）を使用した測定

レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器（カバーガラスレス型）を使用してシングルモード光ファイバの出射端NFPを観察した画像です。測定条件は以下の通りです。

  • 光源：1550nmDFBレーザ光源（狭線幅単一縦モードレーザ）
  • 光学系：高機能NFP計測光学系　M-Scope type S
  • 検出器：レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器　ISA041HRA/GL
  • 観察倍率：100倍（M-Plan Apo NIR 100)
  • 観察画角：約64μm×51μm角

狭線幅レーザを光源とする測定時でもカバーガラス部分で発生する干渉の影響を受けず、シングルモード光ファイバ端面のNFPが正常に観察できます。

（比較）InGaAs高分解能SWIR検出器（標準型・カバーガラス有）を使用した測定

標準型InGaAs高分解能SWIR検出器（カバーガラス有）を使用してシングルモード光ファイバの出射端NFPを観察した画像です。測定条件は以下の通りです。

  • 光源：1550nmDFBレーザ光源（狭線幅単一縦モードレーザ）
  • 光学系：高機能NFP計測光学系　M-Scope type S
  • 検出器：InGaAs高分解能SWIR検出器　ISA041HRA
  • 観察倍率：100倍（M-Plan Apo NIR 100)
  • 観察画角：約64μm×51μm角

狭線幅光源を使用しているため、測定される光ビームの像が、検出器のカバーガラス部分での干渉発生の影響を受けています。

使用上の注意事項（必ずご確認ください）

  • 本検出器では、カバーガラスレス型撮像素子を使用しています。このため、使用上以下の事項に充分ご留意ください。
    • 本検出器に使用されている撮像素子にはセンサカバーガラス（保護ガラス）がありません。このため、センサ面へのほこりやゴミの付着は重大な故障の原因となります。このため、センサ面を空気に曝す使用方法は絶対に避けてください。
    • 弊社製光学系と本検出器を組合わせて使用する場合、検出器を光学系本体に装着した形で出荷致します。本検出器を光学系本体から取り外さないよう充分ご注意ください。また、検出器を光学系から取り外して使用するような想定の使い方は避けてください。
    • もし画像観察の際にセンサ面に異物などが確認された場合、
      • アルコールなどを使用して直接センサ面を清掃することは絶対に避けてください。
      • ブロアを使用して弱い風圧で撮像面の埃を吹き飛ばしてください。この時、エアコンプレッサーのような風圧の強いものは故障の原因になりますので使用しないでください。
      • 静電気等で付着するゴミに関してはイオンエアーガンのご使用を推奨致します。
      • 上記作業を行う場合は、必ずクリーンルーム内などの防塵環境下で行い、ほこりや異物の再付着に充分ご注意ください。

製品の主な応用

  • 各種光通信デバイスの光ビーム観察・解析・評価
    • DFBレーザ等の単一縦モードレーザ・波長可変レーザなどの狭線幅レーザを使用したNFP/FFP観察・計測等の光ビームプロファイル観察・解析
    • 光通信用半導体レーザのNFP/FFP観察・計測等の光ビームプロファイル観察・解析
    • 光通信用光ファイバのNFP/FFP観察・計測等の光ビームプロファイル観察・解析
    • 光導波路の入射側ビーム位置合わせや、出射端のNFP/FFP観察・計測等の光ビームプロファイル観察・解析
    • その他、光通信用各種光デバイス・光モジュールのNFP/FFP観察・計測等の光ビームプロファイル観察・解析
  • 光通信デバイスの組立・実装調整用
    • バタフライモジュール等光通信用デバイスのレンズ調整や実装時のビーム観察
  • シリコンフォトニクスデバイスの光学特性測定や評価
  • 通信用受光素子への入射光観察や位置調整
  • 半導体デバイス検査への応用
    • シリコン・化合物半導体系ウエハ・デバイスの検査や品質評価、故障解析等
  • その他、汎用赤外画像観察・画像処理への応用

製品の主な仕様

分光感度特性
主な仕様
検出素子の主な仕様
検出素子 カバーガラスレス型1/2インチInGaAs2次元固体撮像素子
検出波長域 400nm - 1700nm
画素数 1280(H) x 1024(V)画素
センサーピッチ 5μm(H) x 5μm(V)
有効素子サイズ 6.4mm(H) × 5.12mm(V)
検出器の主な仕様
素子冷却 非冷却
カメラインターフェイス Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
シャッター グローバルシャッター
フレームレート 30.0 fps (12bit) / 60.0 fps (8bit)
露光時間 12bit: 13μsec ~ 10msec (13μsec ~ 9.99sec 設定可能）
S/N比 52dB
マウント Cマウント
消費電力 約5W(typ.) *DC+12V時
主電源定格電圧 DC +12V ~ +24V ±1V
推奨動作周囲温度 +25℃ ±3℃
動作周囲温度/湿度 0℃ ~ +45℃ / 20% ~ 80%（結露しないこと）
保存周囲温度/湿度 -15℃ ~ +65℃ / 20% ~ 80%（結露しないこと）
  • 上記の「使用上のご注意」をお読みいただき、取扱に充分ご注意ください。
  • 上記仕様は検出器単体での仕様です。使用するハードウエア・ソフトウエアにより上記機能は制約されることがあります。
  • 本検出器は露光時間設定や環境温度により、周囲にくらべ明るい画素や暗い画素、ムラが現れることがあります。これはInGaAsセンサの特性によるものであり、不良または故障ではありませんので予めご了承ください。

製品の構成

標準構成品　レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器　ISA041HRA/GL
  • レーザ計測用InGaAs高分解能SWIR検出器　本体　１式
  • 同上用カメラアダプタ（電源）　１式
  • 同上用電源ケーブル　1本
  • 同上用LANケーブル　１本

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